晶圆制造全过程？

　　晶圆制造流程：

　　1、脱氧提纯

　　2、制造晶棒

　　晶体硅经过高温成型，采用旋转拉伸的方法做成圆形的晶棒。

　　3、晶片分片

　　将晶棒横向切成厚度基本一致的晶圆片，Wafer。

　　4、Wafer抛光

　　进行晶圆外观的打磨抛光。

　　5、Wafer镀膜

　　6、上光刻胶

　　光刻胶和以前照相的胶片一个道理。Wafer上光刻胶，要求薄而平整。

　　7、光刻（极紫光刻EVO）

　　8、离子注射。

　　在真空的环境下经过离子注射，将光刻的晶圆电路里注入导电材料。

　　9、电镀

　　基本上晶圆完成了，接下来要在晶圆上电镀一层硫酸铜。铜离子会从正极走向负极。

　　10、抛光

　　打磨抛光Wafer表面，整个Wafer就已经制造成功了。

　　11、晶圆切片

　　将Wafer切成，单个晶圆Die。

　　12、测试

　　主要分三类：功能测试、性能测试、抗老化测试。

　　13、包装入盒

　　先给Wafer覆膜，再将其插入黑盒子中。

　　14、发往封测

　　Die（裸片）经过封测，就成了我们电子数码产品上的芯片。

　　晶圆制造工艺流程9个步骤？

　　1.预精研磨：洗涤并清洁原料晶圆，研磨去除表面污染。

　　2.晶圆熔断：把原料晶圆分成许多小片，以便更好的熔断制成合适的尺寸。

　　3.涂覆厚膜：涂覆厚度精确的膜，控制层厚度和外观。

　　4.腐蚀：进行钝化腐蚀，去除多余的膜层。

　　5.光刻：在晶圆表面腐蚀出特定形状和图案。

　　6.镀金：在晶圆表面补充薄膜，以提高其导电性能。

　　7.烧录：在晶圆上烧录电路，完成最终电路设计。

　　8.测试：对晶圆进行性能测试和检测。

　　9.封装：将晶圆封装，使之成为可用的集成电路产品。

　　晶圆制造工艺流程

　　1、 表面清洗

　　2、 初次氧化

　　3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。 （1）常压 CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压 CVD (Low Pressure CVD) （3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法 (LPE)

　　4、 涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘 (pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘 (post bake) （6）腐蚀 (etching) （7）光刻胶的去除

　　5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除

　　6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱

　　7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理

　　8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱

　　9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层

　　10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅

　　11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层

　　12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区

　　13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。

　　14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。

　　15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。

　　16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。

　　17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、濺镀第一层金属 （1） 薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。 （2） 真空蒸发法（ Evaporation Deposition ） （3） 溅镀（ Sputtering Deposition ）

　　19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。

　　20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置

　　21、最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性