CMOS光电探测器原理是通过由辐射引起被照射材料电导率发生改变，在受到光照之后其物理性质变化进行探测。

　　频率为v的光照射到材料表面时，材料中的电子将吸收hv的光子能量。若电子所增加的能量除了克服与晶格或其它电子碰撞损失的能量外，尚有一定的能量足以克服材料表面的势垒w，那么该电子将逸出材料表面进入空间。

　　当光频v0时，无论光强多大都不能产生光电子。但是当材料能产生光电流，则光电流的大小随光强的增加而增加。