1、威廉?肖克莱(William Shockley)

　　1910年2月13日生于英国伦敦。美国物理学家，美国艺术与科学学院、电气与电子工程师协会高级会员。

　　2、约翰?巴丁（John Bardeen）

　　1908年5月23日，巴丁出生于威斯康星州麦迪逊城。巴丁的研究领域包括半导体器件、超导电性和复制技术。

　　3、沃尔特?布拉顿(Walter Houser Brattain)

　　1902年2月10日生于中国厦门市。美国物理学家,美国科学院院士。曾获巴伦坦奖章、约翰?斯可特奖章。布拉顿长期从事半导体物理学研究，发现半导体自由表面上的光电效应。

　　4、杰克?基尔比(Jack Kilby)

　　1923年生于美国密苏里州杰弗逊城。1958年9月12日，基尔比发明的微芯片成功地进行了演示，这是世界上第一块集成电路。

　　5、罗伯特?诺伊斯(Robert Noyce)

　　1927年12月，罗伯特?诺伊斯生于美国爱荷华州。他与同伴自行创办了仙童半导体公司，他担任总经理一职。肖克莱称他们为“八个天才的叛逆”。1968年8月，诺伊斯与戈登创办了著名的英特尔（Intel）公司，诺伊斯出任总经理。1970年，Intel推出世界上第一款DRAM（动态随机存储器）集成电路1103，实现了开门红。1971年，推出世界上第一款微处理器4004，揭开了基于微处理器的微型计算机的序幕。此后，Intel凭借技术创新的优势，成为全球最大的半导体厂商。

　　6、戈登?摩尔(Gordon Moore)

　　1929年1月3日生于旧金山佩斯卡迪诺，美国科学家，企业家，1965年，摩尔提出“摩尔定律”。1968年，摩尔和诺伊斯一起退出仙童公司，创办了Intel。他的定律不仅把英特尔带到了产业的顶峰，也指引着多年来IT产业的发展。

　　7、琼?霍尔尼(Jean Hoerni)

　　1924年生于瑞士，为“八个叛逆者”之一。1959年，他发明了平面工艺的一种叫做光学蚀刻的处理方法。霍尔尼创造了一个光罩，它就像一张底片，上面有一簇小孔，用来过滤掉不清洁的东西，然后让它在光线中翻动。在化学洗涤之后，金属板上只要是留下光阻剂的地方，杂质就不会散落到下面，以此来解决平面晶体管的可靠性问题，因而使半导体生产发生了革命性的变化，堪称“20世纪意义最重大的成就之一”，并且奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位。

　　8、弗兰克·威纳尔斯（Frank M.Wanlass）

　　他曾获得美国盐湖城犹他大学的博士学位，在1963年的固态电路大会上，他提交了一份与Sah合著的关于CMOS的构想报告，同时还用了一些实验数据对CMOS技术进行了大概的解释，同时，关于CMOS的主要特征也基本确定：“静态电源功率密度低；工作电源功率密度高，能够形成高密度的场效应真空三极管逻辑电路。”简而言之，CMOS的最大特征就是低功耗。而今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。

　　9、张忠谋

　　1931年生于浙江。27岁那年，作为麻省理工学院毕业的硕士生，他与半导体开山鼻祖、英特尔公司创办人摩尔同时踏入半导体业，与集成电路发明人杰克?基尔比同时进入美国德州仪器公司。1972年，先后就任德州仪器公司副总裁和资深副总裁，是最早进入美国大型公司最高管理层的华人。1987年，创建了全球第一家专业代工公司——台湾积体电路制造股份有限公司（简称“台积电”）。 因在半导体业的突出贡献，他被美国媒体评为半导体业50年历史上最有贡献人士之一和全球最佳经理人之一。台湾人则尊他为“半导体教父”，因为是他开创了半导体专业代工的先河。

　　10、邓中翰

　　中星微集团创建人、董事长，“星光中国芯工程”总指挥。美国加州大学伯克利分校电子工程学博士、经济管理学硕士、物理学硕士。他是该校建校130年来第一位横跨理、工、商三学科的学者。1997年，邓中翰加入IBM公司，做高级研究员,负责超大规模CMOS集成电路设计研究，并申请多项发明专利，获“IBM发明创造奖”。一年后，邓中翰离开IBM回到硅谷，结合硅谷著名的风险投资基金，创建了集成电路公司PIXIM，INC.，市值很快达到了1.5亿美元。后在国家信息产业部的倡议下，邓中翰决定在国内组建中国本土的芯片设计公司。1999年10月，在中关村注册成立了“中星微电子有限公司”。 2001年3月11日，中星微“星光一号”研发成功。这是中国首枚具有自主知识产权、百万门级超大规模的数字多媒体芯片，同时结束了“中国硅谷”中关村无硅的历史。2001年5月，“星光一号”实现产业化。

　　一，杨培东中国科学技术大学，美国加州大学伯克利分校教授，股亚东中国科学技术大学美国加州大学河滨分校终身教授。

　　二，黄暄益纽约市立大学皇后学院，立清华大学教授。

　　三，夏幼南中国科学技术大学，美国乔治亚理工学院教授。

　　四，孙玉刚中国科学技术大学，美国阿贡国家实验终身研究员。

　　五，吴屹影中国科学技术大学，美国俄亥俄州立大学终身教授。

　　六，段镶锋中国科学技术大学少年班，美国加州大学洛杉机分校终身教授。

　　七，邹祖炜台湾大学，美国特拉华大学。八，万梅香中国科学技术大学，中国科学院化学研究所。

　　九，任志锋华中科技大学，美国波士顿学院终身教授。

　　十，鲍哲南南京大学，美国斯坦福大学化学工程系教授

　　在集成电路发展历程中，有很多人做出了突出的贡献，在人类享受集成电路技术给我们的生活和生产翻天覆地的变化的同时，请不要忘记那些在集成电路发展进程中，起到关键作用，做出突出贡献的人。下面我们挑选出集成电路发展史上10位最著名的人物1,肖克利2,巴丁3,布拉顿4,杰克·基尔比5,罗伯特·诺伊斯6,琼·赫尔尼7,戈登·摩尔8,安迪·格罗夫9,胡正明10,张忠谋