首先，要纠正的是，三极管只有电流驱动一说，电压驱动是mos或者igbt，基极直接接电压源非常危险，相当于电流从be直接到地，可以说是短路，造成三极管烧毁。三极管驱动电机，利用的是三极管的开关作用，即截止区与饱和区，尽量避免进入放大区。

　　在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

　　根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。

　　假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。第二个问题呢，因为不存在电压驱动三极管一说，所以我只能说小功率场合最好用三极管（便宜），大功率用mos或者igbt。另，以后再问私信就好，没必要这么麻烦