客观地讲，单论手机处理器及5G芯片终端产品技术，中国的华为可以说已经稳稳地站在了世界芯片行列的第一梯队，从麒麟980开始华为手机处理器性能与苹果、高通、三星等巨头的芯片性能基本达到了同一水准，甚至部分性能略微超越高通和三星，5G芯片技术甚至已经超越苹果、高通，应该说是被追赶阶段。

　　而台式电脑芯片目前中国并没有出现真正的龙头企业，只能说还处于理论水平（中芯的打磨芯片不算的话）。

　　其实如果不是杨元庆的“联想没有必要自研芯片和系统”的理念，联想是中国最有可能在电脑芯片研发上做出贡献的企业。

　　但中国芯片的制造端，目前最新消息是中芯国际确定在今年6月投产14nmFinFET，同时更先进的12nmFinFET也在推进当中，这意味着它将有望在先进工艺制程方面成为全球芯片代工厂中第三名，但是相较于台积电的5NM最新技术和三星的3NM方案，中国还相差大概5代产品线，基本是10年的差距，处于追赶阶段，勉强算是可以用的水平，属于芯片生产端的第二梯队。

　　所以说，相较于谷歌和ARM企业，台积电对华为的影响才是决定性的且不可替代的。

　　至于软件，目前来看中国的阿里、腾讯、华为都有很强的自主研发能力，系统开发也都有尝试和成熟的软件推出，但都没有推出过像微软、安卓或苹果ISO的统治级系统，应该算第二梯队的头部，追赶微软、谷歌及苹果仍然需要技术积累但属于可期阶段。

　　不是芯片产业的专业人士，因此也无法说出国产芯片处于什么阶段，我这里只大概说说一些具体芯片相关产品现有的大致水平。

　　核心设备光刻机差距：我国量产光刻机制程节点为90nm（下图），当前在研制的最新光刻机为28nm节点，这台机器理论上通过多重曝光最高可实现7nm制程芯片制造，有消息称这机器今年年底将研制成功。如果消息属实，那基本上我们能实现全球第二选进的光刻机制造国家，仅落后于荷兰ASML。

　　不过，这机器即便是年底研制成功，到量产应该还有2年左右的时候。至于想要制造5nm、3nm这样更先进的芯片还需要更高端EUV光刻机，这块只能说还在探索中。

　　代工厂商有2-3代差距：目前大陆地区最先进的代工厂商为中芯，能量产14nm制程芯片，明年可以量产7nm低功耗版（N+1）的制程，后续预计2022年可能达到7nm高性能版。而台积电现在已经能实现5nm量产，按规划2022年可以量产3nm制程。

　　同时对中芯来说，不光是制程技术上的限制，还有光刻机上的麻烦，想要突破7nm制程，实现5nm、3nm这样的先进制程必须有7nm EUV光刻机，现有的DUV光刻机做不了。但是，EUV光刻机现在正被卡脖子中，采购的不发货！

　　芯片设计软件太低端：我们都知道海思的麒麟芯片性能不错，但芯片设计研发需要专业的设计软件，也就俗称的EDA软件，这块我们几乎是零。虽然有国产EDA软件，比如华大九天，但这块我们只能占据极少的一部分低端市场，95%以上的市场都为欧美的三大巨头所控制。

　　因此，美国一对华为断供，芯片设计软件也将面临断供，这也意味着后续的芯片设计只能使用旧版，甚至可能旧版都无法使用（例如哈工大的就被禁用Matlab），从而导致设计出来的芯片较为落后。这个领域的差距中短期根本无法追赶上，怕是得20年左右的时间才可能跟上。

　　芯片架构几乎无自研：我国的芯片研发企业其实不少，但现有的芯片都是基于全球主流的架构，没有一个架构属于自主研发，麒麟是ARM架构，兆芯、海光是基于x86架构的授权，龙芯是MIPS架构等，这里唯有龙芯的架构自主性较大，可以随心所欲的自己扩充指令集（最新处理器3A4000参数见下图）。剩下的都得人家给授权，一旦掐断授权就会受到限制，比如华为使用的ARM一旦全面断供，后续芯片研发只能使用旧架构，性能上就会有损失。

　　因此，这块上我们不仅研发出来的芯片性能相对落后，同时在架构上更是依赖欧美西方技术，想要自研架构并不容易，因为这也涉及到整体系统生态的问题。

　　存储芯片已经全面追赶上：当然，在部分芯片领域我们是有不错发展的，比如存储芯片这块，这2年获得了高速发展，未来能彻底打破垄断。长江存储的闪存芯片已经上市，纯国产SSD硬盘已经有卖（光威弈PRO固态硬盘，见下图），同时合肥长鑫的内存芯片也取得了突破，纯国产的DDR4内存条也上市了，这个领域的发展值得我们期待。

　　Lscssh科技官观点：综合来说，在整个芯片产业链上，一些非常重要的核心技术我们并不掌握，有的是几乎没有，有的是仅仅掌握低端技术，架构、EDA软件这些底层的核心产品都是弱项。而在一些硬件设备和相关技术上，我们这2年是有不错的发展，正在逐步慢慢的追赶上。但是，想要整个半导体产业全面追赶上欧美西方技术，还需要很长的时间，中短期内无望。

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　　以2022年5.15为例，盘点后发现：

　　1、国内芯片设计能力，华为已达到国际一流水平，如麒麟9000

　　2、国内芯片制造能力，非美国技术1年内可量产28nm，美国技术可达7nm。台积电已达5nm。

　　3、国内芯片封装能力，比Die的能力好些。

　　木桶的容量由短木板决定，28、14/10、7、5nm，我们应该距国际一流差3代。

　　中国????加油(? ??_??)?

　　我们先了解最新一条消息，8月4日，国务院公开了《关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（下称《通知》），全文5000多字从财税、投融资、研发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八方面，给予集成电路和软件产业政策40条支持政策。

　　通过新闻得下目前我们芯片技术与国际发达国家水平还是相差很大的，缺乏技术积累。企业都是最期回报，很少愿意长期投入开发。所以说与西方国家相差2到3代技术。国家现在大力扶持芯片技术，相信不久将来会追赶上去的

　　要看是什么芯片。

　　芯片也分很多种，不是只有手机芯片，还有用于服务器的芯片，用于汽车的车规级芯片，还有用于游戏机的低端芯片等等。

　　而芯片又分为设计和制造，国产芯片的水平肯定是整体落后于西方的。但是也有一些地方可以平分秋色。

　　比如低端芯片我们肯定是不弱的，拥有完善的生产链。还有比亚迪的车规级芯片，处于世界领先水平，华为海思的芯片设计也是可以和高通抗衡。

　　国产芯片主要落后的就是在高端芯片的制造环节，光刻机西方已经在攻克3nm了，二国内才21nm。目前市面上的手机高端芯片是台积电制造的5nm，国内能量产的是14nm，中间有两代的代差。