是两单元运算放大器，HA17358应该是日本日立型号，简单的理解就是一输入脚的电压跟另一只基准脚的电压相比较，然后在它的输出脚上按某种规律产生一个电压，另一单元三只脚同理，剩两只脚是芯片电源脚，它跟电压比较器最大的区别是它的输出跟它周边电阻值有关，而电压比较器只跟两输入脚的电压高低有关，输出要么是芯片供电的VCC+要么就是芯片供电的VCC-，没放大功能。要量电压，黑表笔按GND脚，其它脚挨个量。

　　HA173588是八脚集成芯片

　　集成芯片中来用强压技术形成去耦。高密度元件常常直接把表面安装（SMT）电容加 入到集成芯片之中。分立电容常在这个时候用于多芯片模块中。根据硅盘入侵峰值电流冲激情况，以设各 所需的充电电流为基础来选择合适的电容。此外，在元件产生自激时能对差模电流产生抑制作用。虽然内嵌有电容，在模块外部同样需要加上分立电容。

　　元件在开关周期内，去耦电容提供了瞬时的充、放电。去耦电容必须向器件提供足够快 的充、放电过程以满足开关操作的需要。电容的自激频率取决于很多因素，不仅包括电容大小，还包括ESL、ESR等。

　　对于高速同步设计而言，CMOS功率损耗表现为容性放电效应。例如，—个在3.8V、200MHz频率下的设备损耗4800 mW的功率时，就会大约有4000 pF的容性损耗。这可以在每个时钟触发下观测得到。

　　CMOS逻辑门通过自身的输入电容，对设备的耦合和输入晶体的串联电容来提供分有电容。这些内部电容并不等于运行所需的电容值。硅盘不允许使用另外的硅材料制作大眭容底板，这是因为制造工艺决定了亚微米设计会消耗布线空间，同时需要支持氧化物层献装配。

　　注意事项：各电路适用度不同建议适用前先做测试

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