光MOS管继电器的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

　　在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。

　　其基本原理为：将一个控制装置连接到光伏二极管阵列与输出金属氧化物场效应管的栅极之间，从而使控制装置在光伏输出时处于高阻状态，在光伏输出消失时处于低阻状态，以便光伏二极管阵列产生的充电电流流向输出端，金属氧化物场效应管的栅极。

　　专利中提到的所有元器件均采用V型槽隔离的方法，实现了单片集成，很好的实现了固体继电器的控制功能，类似的专利还包括：美国专利号5151602、美国专利号5278422和公开号CN1728553A等等，上述专利还有一个共同点是都是采用V型槽隔离方式将光伏二极管阵列与控制电路单片集成，控制电路的输出端口再外接单片功率MOS元件的栅源端，最终将继电器的各个部分进行共同封装，这种封装方式不仅会增加封装的难度，同时由于多片封装寄生效应比较大，降低了整个继电器的可靠性，而且某些固体继电器的输出端采用了横向功率器件，由于横向功率器件的漂移区长度较大，且作用只是用来承受耐压，增加了整个芯片的面积，影响了整个芯片的集成度。此外，在这些专利中所述的光伏二电池大都采用单晶硅光伏电池制作，其制作难度和成本较高。