光电子器件的高频封装形式也多样化例如同轴（ TO）、微型双列直插（ mini DIL）、蝶型等，但是无论何种形式，封装引入的寄生参数都会对器件的高频性能产生一定影响。因此，在提高芯片高频性能的同时，也必须不断改进芯片的微波封装技术。电吸收调制激光器（ EML）作为现代高速光通信系统中常用的关键器件，具有低啁啾、高调制度、结构紧凑等特点，适合于长距离的光纤通信系统，因此一直是人们研究的热点之一。

　　根据调制方式的不同，主要有两种激光器：直接调制激光器和外调制激光器。其中，直接调制激光器实现起来较简单，成本较低，但色散受限距离较短，一般在80公里以下。而外调制激光器比直接调制激光器能获得较大的色散容限值，但实现起来较复杂，成本相对也较高。在长距离传输时，为了满足色散容限的要求，一般要采用外调制激光器，如电吸收外调制激光器（EML激光器）或铌酸锂激光器；