线圈可以看成电感，根据电感两端的电压v与流过电感的电流i的关系式：u=Ldi/dt，我们知道电感电压与电流的变化率成正比。

　　如果电流是正弦信号，函数sinwt的的微分是coswt，所以电压还是正弦信号，只是相位相差了90度。

　　对于正弦信号的电流，电感两端的电压不会有瞬间的电压突变，

　　只有在电感突然断开或者接入时，电流变化很大，电感两端会产生高压，串入电源，对其他设备造成影响。

　　还有一种是在可控硅，mosfet，igbt控制电源通断时，（比如通过可控硅对电机调速，变频器，电源等设备），也会产生高压。

　　对于这样的高压，电压高，持续时间短，可能就几百ms，需要使用合适的tvs或者压敏电阻对电压进行钳位，吸收高压脉冲的能量，避免高压串入控制电路损坏器件。

　　另外一方面需要降低电流变化率，对于交流，可能设计过零检测电路，在电压过零时打开负载，在电流过零时关闭负载。

　　如果是可控硅，可以通过软启动，也就是在启动阶段，通过慢慢增加导通角的方式减少启动冲击电流。