wpe在集成电路中是wellproximityeffect的缩写指在离子注入制造工艺时，原子从掩模板的边沿开始扩散，在阱边附近的地方硅片表面变得密集，浓度会随着距离掩模板的边沿的远近而有所不同，导致整个阱的摻杂浓度不均匀，mos管的阈值电压也不尽相同，对电路性能产生影响。