导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。

　　另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。

　　MOS管驱动芯片的工作原理？

　　以IR2110为例