Q1是P型MOS管,它的导通条件是栅极电压比漏极电压低大概2V左右(死区电压,管子不同.这个电压也不同). 当R2下端接高电平(5V)或悬空时,R1与R2中没有电流.R1两端电压为0V.Q1截止.当R2下端变成低电平(0V)时.5V电源将通过R1,R2到0V形成回路,在R1上形成上正下负的4.5V的压降.此电压加在Q1的漏,栅极,使Q1导通