DDR4引脚

　　MT40A1G16RC-062E是1Gx16，对应引脚如下：

　　1、数据线

　　1）DQ[0:15]：16位数据线。

　　2）UDQS_t/UDQS_c和LDQS_t/LDQS_c：2组差分数据选通，UDQS对应数据DQ[15:8]；LDQS对应数据DQ[7:0]。

　　3）UDM_n/LDM_n：2根数据掩码，UDM_n与DQ[15:8]关联；LDM_n与DQ[7:0]关联。数据掩码只支持x8和x16。

　　2、地址线

　　1）A[17:0] ：其中A10/AP, A12/BC_n, WE_n/A14, CAS_n/A15, RAS_n/A16可功能复用。

　　2）BA[1:0] ：bank地址线，bank是DDR4 SDRAM芯片内部的存储阵列，注意和rank区分。

　　3）BG[1:0] ：bank group地址线。

　　3、时钟

　　1）CK_t/CK_c：一组差分时钟信号。

　　2）CKE：时钟使能信号。

　　4、命令

　　1）CS_n：片选。

　　2）ACT_n：激活命令输入。

　　3）RAS_n/A16、CAS_n/A15、WE_n/A14：命令输入。ACT为低，RAS、CAS和WE作为行地址；ACT为高，RAS、CAS和WE作为命令。

　　4）PAR：校验位，使能后可以校验命令和地址线数据。

　　5）ODT（On-die termination）：片内终结。将端接电阻移植到芯片内部，防止CPU发出的信号不能被电路终端完全吸收，形成反射，影响后面信号。ODT应用在DQ、DM、DQS引脚。

　　6）ZQ：ZQ校准。

　　7）RESET_n：芯片复位信号。

　　5、电源

　　1）VDD：电源电压，1.2V ±0.060V。

　　2）VDDQ：电源电压，1.2V ±0.060V。

　　3）VPP：DRAM激活电压: 2.5V –0.125V/+0.250V。

　　4）VREFCA：控制、命令、地址线的参考电压，需要一直保持在规定电压范围内。

　　5）VSS/VSSQ：地。

　　例：

　　使用64bit数据线CPU，外接8G DDR4 SDRAM，连接方法如下：

　　1）把4片16bit DDR4 SDRAM数据线凑成一组64bit，即为1个rank。

　　2）CPU区分不同的组连接DQS和DM。

　　3）多片DDR4 SDRAM可以共用地址线、时钟、命令、电源。