100n04属于低内阻贴片N型MOS管；100N04的极限值：

　　(如无特殊说明，TC=25℃)

　　漏极-源极电压VDS：40V栅极-源极电压VGS：±20V漏极电流-连续ID：100A漏极电流-脉冲IDM：240A单脉冲雪崩能量EAS：145mJ雪崩电流IAS：54A总耗散功率PD：22W

　　用数字万用表测量GDS方法如下，用二极管档位，各级间不导通；当红表笔接g极，黑表笔接s极，再用红表笔和黑表笔测量DS极为导通状态；黑表笔接g极，红表笔接S极，DS为截止状态。如果击穿损坏则各级为导通状态。