三极管体效应？

　　这种器件中，当外加电压超过某一 阈值时，它的电流随着电压增加反而减小，出现了 负阻效应，放大和振荡就是利用其负阻效应产生的。由于这种器件的 负阻效应发生在某些 n 型半导体的整个晶片体内，所以称为“体效应管”。是一种重要的固体微波器件。制造体效应管所用的半导体材料主要是砷化镓。

　　体效应管的典型类型是单结晶体管，

　　晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

　　半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。

　　TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管[font color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。

　　半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

　　晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

　　晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。

　　在双极性晶体管中，发射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和漏极之间的电流。在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路； 在计算机电源中，主要用于开关电源。晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。

　　数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，像是最大电压、最大电流、最大功率……，在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以藉由晶体管规格表或是Data Sheet得知。晶体管在电路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等发明相提并论。

　　晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

　　中文名

　　体效应管

　　作用

　　强电场作用

　　器件

　　半导体

　　词性

　　名词

　　根据

　　某些半导体导带的特殊结构

　　三极管的原理？

　　您好，三极管是一种电子器件，由三个控制电极（基极、集电极和发射极）组成。它的工作原理是通过控制基极电流，来控制集电极和发射极之间的电流。当基极电流增大时，它会导致集电极和发射极之间的电流也增大。这种电流放大效应使得三极管可以作为放大器使用。此外，三极管还可以用作开关，当基极电流为零时，集电极和发射极之间的电流也为零，相当于开关关闭状态；当基极电流增大时，集电极和发射极之间的电流也增大，相当于开关闭合状态。因此，三极管可以在电路中起到放大和开关的作用。

　　回答如下：三极管是一种半导体器件，包含三个控制区域：发射区、基区和集电区。其原理是基区控制发射区和集电区之间的电流流动，当在基极加上一个小的电压信号时，可以使得大量的电子从发射区进入集电区，从而实现电流放大的功能。三极管的工作原理是基于PN结的电学特性，其主要通过控制电荷载流子的流动来控制电流的大小。

　　三极管（Transistor）是一种半导体器件，它的工作原理基于电子和空穴（Carriers）的结合与分离。三极管主要由两个p型半导体和一个n型半导体组成，它们通过扩散层（diffusion layer）和基区（base region）连接在一起。

　　三极管的主要功能是放大信号。在放大过程中，基极（base）作为控制电极，通过控制电子和空穴在集电极（collector）和发射极（emitter）之间的扩散和复合程度，实现信号的放大。

　　三极管的基本工作原理可以通过以下三个过程来描述：

　　1. 控制极电流（I_B）：当控制极（通常由基极b）施加一个较小的正向电压时，会导致更多的电子从n型半导体扩散到p型半导体，从而形成一个较大的空穴。这些空穴会吸引更多的电子与之结合，导致集电极和发射极之间形成一个较大的电流。这个较大的电流称为集电极电流（I_C）。

　　2. 放大区：当控制极电流（I_B）保持不变时，由于基区中的空穴和n型半导体中的电子会逐渐结合，集电极电流（I_C）会逐渐减小。这是因为基区中的空穴被耗尽，不再能吸引更多的电子。这个过程称为饱和区。

　　3. 截止区：当控制极电流（I_B）较小时，集电极电流（I_C）会非常小。这是因为控制极电流不足以在基区形成足够的空穴，从而无法吸引足够的电子与之结合。这个过程称为截止区。

　　三极管的放大能力取决于三个主要参数：I_B、I_C和V_CE。通过调整控制极电流（I_B）和集电极电压（V_CE），可以实现对三极管放大特性的控制。在实际应用中，三极管常常用于放大微弱的电信号，从而实现信号的放大、滤波、调制和解调等功能。