如何检测RC阻容吸收器的好坏？

　　阻容吸收器在投入运行前用精度较高的电容电桥测量阻容吸收器电容器部分的电容值及tanδ值。

　　在做预防性试验时，应该用同一台电桥测量电容值和tanδ值，并与前一次测量值比较，看有无变化。

　　如果40.5KV产品电容量增大2.5%，7.2KV和12KV的电容量增大5%以上，说明电容器内部有故障，应及时更换。

　　测量的tanδ值有明显增大时，亦应更换。

　　有条件时，亦可做耐压试验，可采用工频耐压或直流耐压中的任何一种，其耐压值与验收试验相同，试验时不出现闪络或击穿，便继续运行，否则必须更换。

　　可控硅阻容吸收原理？

　　可控硅阻容吸收的原理是为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的变压器漏感或负载电感，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。

　　同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅。由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的，可控硅阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。