me15n10场效应参数？

　　 me15n10场效应管参数:

　　 极性：NPN；

　　 Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V；

　　 Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V；

　　 Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：14.1A；

　　 Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：8.1A；

　　 Power Dissipation 功率损耗Pd：20.8W；

　　 Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=10V：Typ 88mΩ Max 105mΩ；

　　 Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃。

　　N沟道液晶场效应管MOS管，电流 15A ，耐压100V

　　me150n10参数？

　　型号:ME15N10-G 类型:N沟道场效应管 耗散功率(PD):34.7 W 漏极和源极电压(VDSS):100 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.1 Ω，希望对你有帮助。

　　配备4500mAh电池，使得该机重量提升至208g