ao4468mos场效应管参数？

　　MOS管场效应管AO4468参数

　　FET 类型tN 沟道

　　技术tMOSFET（金属氧化物）

　　漏源电压（Vdss）t30V

　　电流 - 连续漏极（Id）25°C时t10.5A（Ta）

　　驱动电压最大Rds On最小Rds Ont4.5V，10V

　　不同 Id，Vgs时的Rds On最大值t14 毫欧 @ 11.6A，10V

　　不同 Id 时的 Vgs（th）最大值t3V @ 250μA

　　不同 Vgs时的栅极电荷Qg最大值t24nC @ 10V

　　Vgs（最大值）t±20V

　　不同Vds时的输入电容Ciss最大值t1200pF @ 15V

　　FET 功能t-

　　功率耗散（最大值）t3.1W（Ta）

　　工作温度t-55°C ~ 150°C（TJ）

　　安装类型t表面贴装

　　供应商器件封装t8-SOIC

　　封装/外壳t8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

　　4468三极管参数？

　　4468三极管是指c4468，它是NPN大功率晶体三极管，a1695是PNP大功率晶体三极管，c4468、a1695作为互补对管，在乙类功率放大器电路中广泛应用。

　　c4468三极管参数：

　　材料：硅-NPN

　　集电极-发射极工作电压：200V

　　集电极-基极反向击穿电压：200V

　　集电极电流：10A

　　集电极耗散功率：80W

　　特征频率：20MHz