irf450功放管参数？

　　IRF450是一种N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功放电路中。其参数包括最大漏极-源极电压（Vds）为500V，最大漏极电流（Id）为14A，最大功率耗散（Pd）为190W，输入电容为400pF，输出电导（gfs）为2.5S。此外，IRF450具有低开关损耗、高开关速度和优异的线性特性，适用于高保真音频功放、高频射频功放以及电源变换器等应用。在设计和应用时，需注意其静态和动态参数，并合理选择工作点以充分发挥其性能和稳定性。

　　耗散功率（PD）：150 W

　　漏极电流（ID）：13 A

　　漏极和源极电压（VDSS）：500 V

　　irfp 460中文参数手册？

　　IRFP460中文参数，以下是它的主要参数：

　　- Vds（最大漏极-源极电压）：500V

　　- Id（最大漏极电流）：20A

　　- Rds(on)（漏极-源极导通电阻）：0.27Ω @ Vgs = 10V

　　- Qg（栅极电荷）：170nC @ Vgs = 10V

　　IRFP460的主要替代品有以下几种：

　　- FDPF20N60（600V，20A，0.25Ω @ Vgs = 10V）

　　

　　

　　- IRF240（200V，20A，0.14Ω @ Vgs = 10V）

　　- IRF2805（55V，75A，8.5mΩ @ Vgs = 10V）

　　- IRFP450（500V，14A，0.4Ω @ Vgs = 10V）

　　请注意，虽然这些器件可以替换IRFP460，但它们具有不同的参数和特性，因此可能需要针对具体应用进行重新设计和调整。

　　 IRFP460 是一款 N 沟道功率 MOSFET，常用于开关电源、电机控制等领域。以下是关于该器件的一些中文参数手册信息：漏源极电压（Vdss）：500V，这是指在漏极和源极之间所能承受的最大电压。栅源极电压（Vgs）：±20V，这是指在栅极和源极之间所能承受的最大电压。漏极电流（Id）：20A，这是指在特定条件下漏极所能通过的最大电流。静态漏极源极电阻（Rds（on））：0.27Ω，这是指在特定条件下漏极和源极之间的电阻。阈值电压（Vth）：4V，这是指栅极电压达到使漏极电流开始流动的最小值。输入电容（Ciss）：2100pF，这是指栅极和源极之间的电容。输出电容（Coss）：750pF，这是指漏极和源极之间的电容。反向传输电容（Crss）：250pF，这是指栅极和漏极之间的电容。开关时间：开通时间（Ton）为 35ns，关断时间（Toff）为 220ns，这是指 MOSFET 在开关过程中的延迟时间。工作温度范围：-55°C 至 150°C，这是指器件能够正常工作的温度范围。封装形式：TO-247，这是一种常用的功率封装形式，具有较大的散热面积。这些参数可以帮助设计人员了解 IRFP460 的性能特点，并在设计中合理选择和使用该器件。请注意，具体的参数值可能因生产批次和厂家而略有差异，因此在使用前最好查阅相关的数据手册以获取最新和准确的信息。