IGBT模块的G E间的电容 作用是对门极驱动电压进行滤波用的。

　　IGBT的G极对E极电压超过20V一般就会损坏，有这个电容，可以滤掉Vge上过高的尖峰。

　　IGBT的规格书是要求正负20V，但设计时G极对E极最好控制在+20，-15内

　　在门极和发射极开放的状态下，集电极-发射极间施加电压时，IGBT有可能损坏。这是由于集电极电势的变化，会有电流经过集电极和门极之间的电容流过，此时IGBT的门极电压上升，IGBT开通，集电极电流流过，从而使IGBT发热甚至有失效的可能性。

　　另外在门极电流故障，或者门极电路不能正常工作的状态下，主电路外加电压时，也会由于上述理由使IGBT受损，所以在门极-发射极之间连接10k-100K左右的电阻。