大功率晶闸管好坏判断？

　　好坏判断可以通过以下步骤进行：明确可以通过测量晶闸管的关断电压和触发电流来判断它的好坏。晶闸管是一种电子元件，其主要功能是在开关电路中进行电流控制。晶闸管在工作过程中容易受到过热、电压过高、电流过大等问题的影响而损坏。因此，通过测量其关断电压和触发电流可以判断晶闸管是否可以正常工作。晶闸管可以采用多种方法来进行测试和判断，例如静态特性测试、动态特性测试、热稳定性测试等等。此外，在使用大功率晶闸管的过程中也需要注意保护措施，防止因电压电流超过其极限而受损。

　　可以通过以下几个方法进行：

　　1. 外观检查：检查晶闸管外观是否有明显的损坏或变形，如烧焦、爆炸、裂纹等。

　　2. 电压测量：用万用表或示波器测量晶闸管的正向和反向电压，如果正向电压正常而反向电压很低或没有电压，则很可能是晶闸管出现了问题。

　　3. 测试晶闸管的导通性：使用万用表或输电测试仪来检查晶闸管的导通性。将测试仪置于导通状态，用测试针分别接触晶闸管的门极和阴阳极，此时如果仪表显示关闭状态，则说明晶闸管可能是开路状态。

　　4. 测试晶闸管的触发电流：用万用表测量晶闸管的门极触发电流，如果触发电流明显偏离额定值，则可能表明晶闸管已损坏。

　　5. 温度测量：温度也是判断晶闸管好坏的重要指标之一，晶闸管在工作时会发热，如果晶闸管温度过高，则说明可能存在过流、过载等问题，需要及时进行检修。

　　以上方法仅供参考，如果您不确定晶闸管是否损坏，建议请专业人士进行检修和更换。

　　晶闸管好坏可以通过正反向电压测试判断。因为晶闸管的极性比较特殊，只有激活一侧的触发电压才能开通晶闸管，所以在正向电压下，正常的晶闸管应该导通，而在反向电压下，则应该截止。如果测试结果与该规律不符，则可以判断晶闸管存在故障。另外，如果想要对晶闸管的性能进行更细致的测试，可以通过检测其静态参数和动态参数进行判断，如导通电压、耐压能力、响应速度等。

　　因为大功率晶闸管经常处于高负载状态，若出现故障可能会影响使用安全。判断好坏可通过测量元件参数和外部测试回路的现象，如I-V特性、温度等。实验仪器和具体操作方法可查阅资料或请专业技术人员指导。注意安全和防止短路。

　　晶闸管质量好坏的判别晶闸管质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结均应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通;第三是当控制极开路时，阴极与阳极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流，当给阴极与阳极间加正向电压时晶闸管应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

　　用万用表欧姆挡测量晶闸管的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是:用Rx1k或Rx10k挡测量阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压)，此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明晶闸管已经击穿短路或已经开路，此晶闸管不能使用了。

　　怎样用数字万用表测量晶闸管的好坏？

　　1、使用数字万用表检查可控硅数字万用表拨至二极管挡，红表笔接某一电极，黑表笔分别 接触另外两个电极。如果其中有一次显示电压为零点几伏， 则此时红表笔接的是控制极G，黑表笔接的是阴极K，余下 的则是阳极A。假如两次都显示溢出，说明红表笔接的不是 控制极，需更换电极重测。测试可控硅的触发能力数字万用 PNP挡，此时 hFE 插口上的两个 带负电，电压为2.8V。可控硅的三个电极各用一根导线引出，阳极A、阴极K 引线分别插人E 孔，控制极G悬空。 此时可控硅关断，阳极电流为零，将显示 000。把控制极 插人另一个E孔。显示值将从000 开始迅速增加，直到显示 溢出符号后，立即又变成 000，然后再次从 000 变到溢出， 这样周而复始。采用此法可确定可控硅的触发是否可靠。但 这样的测试由于电流较大，应尽量缩短测试时间。必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的保护电阻。如果使用 NPN 挡，可控硅阳极A 应接C 孔，阴极K 孔，以保证所加的是正向电压。拓展资料：一、可控硅：可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。二、测量方法：鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通） [1] 。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。参考资料：百度百科可控硅

　　数字表测电容不大好测，要看被测电容的容量，容量太小的电容如果用指针表的欧姆档方法根本就看不到结果（电容内部短路除外），因为数字表不象指针表能那么直观的观察到数值变化。

　　一般测量可以用以下方法：

　　建议用指针表的欧姆档测量，电容容量越小则用越高的档，一般1uF以下用Rx10K，10uF以下用Rx1K，以此类推。用表笔接触电容的两个引脚，观察指针的摆动，如指针摆动过中心刻度后即往回摆动直至无穷大，过数秒至数分钟后再次测试（电容容量大则适当延长时间），如果指针摆动幅度没有第一次的幅度大或只有很少的摆动则可认为电容是好的。

　　如果手头上只有数字表，容量大点的电容（5uF以上）可以参考以上方法，观察数字由大变小可大致知道结果。不过现在一般数字表都有电容档可以很方便的测量。