可控硅是怎样控制电流的？

　　答：可控硅是一种半导体元件，通过电路系统的反馈信号控制可控硅导电状态达到改变输出电流的大小。如同自来水龙头控制水流大小一样。

　　可控硅是一种半导体器件，可以用来控制交流电路或直流电路中的电流。其控制电流的方法是利用控制信号来改变可控硅的导通状态。

　　

　　可控硅中有三个电极：阳极、阴极和门极。当可控硅的门极电压为零时，可控硅处于阻断状态，无法导通电流。当门极加上一定的正向电压时，可控硅会开始导通电流，电流的导通状态将一直持续到电流降为零或者门极电压降为零。

　　利用这个特性，可以通过控制门极电压来控制可控硅的导通状态和电流大小。通常使用一个触发电路来控制可控硅的门极电压，触发电路可以根据控制信号来产生相应的门极电压，从而控制可控硅的导通状态和电流大小。

　　可控硅可以用来实现电压调节、电流限制、开关控制、相位控制等功能，广泛应用于交流电路或直流电路中的功率控制、电机驱动等领域。

　　可控硅是电流控制，还是电压控制元件？

　　可控硅是电流控制，对于一个闭环控制系统，如果反馈信号的方向不正确，后果肯定是灾难性的。通过控制卡打开伺服的使能信号。这时伺服应该以一个较低的速度转动，这就是传说中的“零漂”。一般控制卡上都会有抑制零漂的指令或参数。使用这个指令或参数，看电机的转速和方向是否可以通过这个指令（参数）控制。如果不能控制，检查模拟量接线及控制方式的参数设置。

　　可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。

　　它们共同的作用就是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使用， 但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。