irf5210场效应管参数？

　　场效应管参数如下，

　　场效应MOs 管:IRF5210STRLPBF

　　英飞凌 :TO -263

　　电压:1000V

　　电流:38A

　　品牌: Infineon （英飞凌）

　　型号:IRF5210STRLPBF

　　种类:绝缘栅（ MOSFET )

　　沟道类型: P 沟道

　　导电方式:增强型

　　封装外形:SMD ( So )／表面封装

　　材料: GE - P - FET 锗 P 沟道

　　是否跨境出口专供货源:否

　　货号:IRF5210STRLPBF

　　英飞凌

　　批号新批号

　　封装 :TO -263

　　IRF5210是P沟道MOS管,

　　耐压100V,电流8A,功率200W,

　　irf5210s三极管参数？

　　 irf5210s三极管参数:

　　 系列：HEXFET?；FET 类型：P通道；漏源电压（Vdss）：100V；25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc）；驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V；不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 38A，10V；不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA；不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：230nC @ 10V；Vgs（最大值）：t±20V；不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：t2780pF @ 25V；功率耗散（最大值）：t3.1W（Ta），170W（Tc）；工作温度：t-55°C ~ 150°C（TJ）。