Mos管驱动电流计算方法？

　　第一种:t可以使用如下公式估算：tIg=Qg/Tont其中：tTon=t3-t0≈td(on)+trttd(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。tTr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间tQg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） t第二种：（第一种的变形）t密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；tIg=[Vb-Vgs(th)]/Rg；tIg：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压； t第三种：t以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。

　　MOS管驱动芯片的供电电流如何算？

　　导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。

　　另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。