硅基oled原理？

　　硅基OLED微显示器件结构

　　硅(si)是一种重要的半导体集成电路材料,但由于硅是间接带隙材料,发光效率低,为了在硅片上实现光电集成,在过去的几十年,人们开展了大量硅基发光材料和器件的研究工作,如在硅衬底上集成II-V族发光材料,或者制作多孔硅等。近年来,在硅衬底上制作OLEDs (Organic light emitting diodes,有机发光二极管),为硅基光电集成开辟了一条新道路。而且,硅基OLED可利用成熟的CMOs技术,可在单个芯片上集成密度高且复杂的电路,从而提供了单芯片显示系统(soC, System On Chip)的解决方案。

　　硅基OLED微显示器件区别于常规利用非晶硅、 微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的 AMOLED器件，它以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传 统器件。 单晶硅芯片采用现有成熟的集成电路CMOS工艺， 不但实现了显示屏像素的有源寻址 矩阵，还在硅芯片上实现了如SRAM存储器、T-CON等多种功能的驱动控制电路，大大减少了 器件的外部连线，增加了可靠性，实现了轻量化。

　　硅基oled工艺流程？

　　硅基OLED（Organic Light Emitting Diode）工艺流程可以分为以下几个步骤：

　　基底处理：首先需要对硅基基底进行清洗和处理，以获得良好的表面平整度和化学纯度。

　　阴极制备：在基底上沉积金属铝或钙作为阴极，并进行样品切割。

　　有机材料的沉积：在基底上沉积有机材料，包括发光层、电子传输层和空穴传输层等。

　　光学稳定层沉积：为提高硅基OLED的稳定性和寿命，需要在有机材料上沉积一层光学稳定层。

　　金属阳极沉积：在光学稳定层上沉积金属作为阳极，并进行样品切割。

　　封装：将硅基OLED封装在透明的玻璃或塑料基板上，以保护有机材料免受空气和水的侵蚀。

　　测试和封装：最后进行测试和封装，以确保硅基OLED的性能和稳定性符合要求。 以上是硅基OLED工艺流程的主要步骤，不同厂商和不同产品的工艺流程可能会有所不同。

　　流程如下： 生产流程 流程细节点 1、玻璃输入 检测ITO粗糙度、电阻率，清洗 2、 铬图形制备 涂胶、曝光、显影、刻蚀等； 3、ITO图形制备 同2 4、绝缘层制备 涂胶、曝光、显影等(注意无刻蚀步骤) 5、隔离柱制备 同4 6、有机材料蒸镀 真空腔室依次蒸镀各层：空穴注入、传输，发光层，电子注入、传输等层； 7、封装 贴干燥片、UV固化； 8、切割 9、老化测试 坏点判断、老练等； 10、模组流程 芯片压合、模组测试、(偏光片粘合)、综合测试等。