硅基芯片与锗基芯片的根本区别是制作材料不一样，导致在电路中压降也不一样，如硅二极管0.6~0.7V，锗二极管0.2~0.3V。

　　硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。

　　锗是一种灰白色的类金属，有金属光泽，硬度较高且脆，无延展性，具有半导体性质，其密度为5.323 g·cm?3，熔点为937.2 ℃，沸点为2830 ℃。

　　1、硅基芯片是由硅材料制成的半导体，锗基芯片是由锗材料制成的半导体。

　　2、硅基芯片的供电电压范围要求较低，锗基芯片的供电电压范围要求较高。

　　3、硅基芯片的制作技术相对成熟，但其速度和功耗要求较高，锗基芯片的制作技术相对落后，但其速度和功耗要求较低。

　　4、硅基芯片的密度更高，可实现更高的集成度，而锗基芯片的密度较低，只能实现较低的集成度。