关于这个问题，IGBT和MOS管的外观区别主要体现在以下几个方面：

　　1. 封装形式：IGBT和MOS管的封装形式不同。IGBT常用的封装形式有TO-220、TO-247、SOT-227等，而MOS管常用的封装形式有TO-92、TO-220、TO-252等。

　　2. 接线方式：IGBT和MOS管的接线方式也不同。IGBT的引脚通常由三个，分别是集电极、发射极和栅极，而MOS管的引脚通常有两个，分别是源极和漏极。

　　3. 标识符号：在器件上，IGBT和MOS管的标识符号也不同。IGBT通常会在器件上印有“IGBT”或“Insulated Gate Bipolar Transistor”的标识符号，而MOS管则会印有“MOSFET”或“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”的标识符号。

　　4. 外壳大小：IGBT和MOS管的外壳大小也有所不同。一般来说，IGBT的外壳要比MOS管的外壳大一些，因为IGBT的电流承载能力一般要比MOS管大。

　　IGBT 绝大多数是TO-3P封装，要大一些。MOS管 大部分为TO220封装要小一些。