芯片制程：

　　1971年10微米；（英特尔推出4004处理器）

　　1974年6微米；

　　1978年3微米（1978年美国第一台g线光刻机DSW4800）

　　1982年1.5微米；

　　1985年1微米（1985年中国第一台g线光刻机）

　　1987年800纳米；

　　

　　1990年600纳米；

　　1993年350纳米；

　　1996年250纳米；

　　1999年180纳米；

　　2001年130纳米；

　　2003年90纳米；（asml与台积电联合制造的样机沉浸式光刻机TAT：1150i）

　　2005年65纳米；

　　

　　2007年45纳米；（asml与台积电联合制造的量产版沉浸式光刻机TXT：1900i）

　　2009年32纳米；

　　2012年22纳米；

　　

　　2022年14纳米；（2022年asml首台量产版EUV光刻机NXE3300B交付使用）

　　2022年10纳米；

　　2022年7纳米；

　　2022年5纳米。