irfp4110场效应参数？

　　IRFP4110参数:100V,3.7mO,180A,370W

　　制造商: International Rectifier

　　产品种类: MOSFET

　　RoHS: 符合RoHS 详细信息

　　Id-连续漏极电流: 180 A

　　Vds-漏源极击穿电压: 100 V

　　Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms

　　晶体管极性: N-Channel

　　Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V

　　Qg-栅极电荷: 150 nC

　　Pd-功率耗散: 370 W

　　irfp4110场效应管参数？

　　irfp4110场效应管 采用的是高通骁龙820处理器，这是一款老款的处理器，虽然性能放到如今已经打不上什么阻力了，但是在当年还算是旗舰的处理器。而且它内置了4000毫安电池，支持22.5w的快速充电，后置的2000万像素的高清双摄。

　　irfP4110场效应管的参数：耐压15V、电流1.2A、它的功率是20w，输入压是16V-30v。