霍尔元件的灵敏度与哪些因素有关？

　　霍尔元件（由锑化铟制成）的灵敏度比较好测量，相同的电压和磁场条件下，输出电压高的则灵敏度高. 霍尔集成电路（IC)的灵敏度的测量要分两种：

　　 （1) 对于开关型，测量可以使hall IC打开（一般输出由高变低）的磁场强度，使hall打开的磁场越弱则灵敏度越高。

　　 （2）对于线性hall，则需要给芯片一个磁场变量（比如磁场变化100GS）看输出电压变化值的大小，电压变化的则灵敏度高。 对于怎样提高灵敏度，在hall材料已经确定的情况下只能靠外加放大器等电子电路来变相的实现。

　　霍尔效应在半导体中特别显著原因是因为半导体的什么？

　　霍尔效应在半导体中特别显著原因是因为半导体的霍尔系数系数比金属大得多，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，所以采用半导体材料作霍尔元件灵敏度较高。

　　可是如果是n型半导体，多子为电子，在x正方向电场作用下向x轴负方向移动，在磁场作用下向y轴负方向移动，因此形成了由y轴正方向到负方向的霍尔电势差。

　　因此，霍尔效应可用于判断半导体类型