半桥驱动自举电容可以按以下方法取值：

　　常规情况下，在电容已经被充电稳定的情况下，保持电容电压的变化或波动量在100mV到300mV是我们能够接受的，这个值也就就是电容电压的纹波大小。

　　假如门极电荷量是10nC（驱动电压是10V的情况下），我们要求驱动过程中，自举电容的电压变化量最大是100mV，那么自举电容则为

　　C=10nC/0.1=100nF

　　实际中，这个电容我们通常要求采用低ESR的陶瓷电容，以便提供高质量的驱动能量，而大小则需要取值为计算值的3至5倍，这是因为电容本身会存在一定的偏差，陶瓷电容在直流偏置下容量衰减的比较厉害，即使你只使用它额定电压的50%或更低，尤其是非C0G材质的陶瓷电容.

　　而我们常用的小功率DC-DC更是会给出一个典型的自举电容，比如100nF或10nF，这个值往往都是大于计算值的，我们采用推荐值，因为这些DC-DC的MOSFET内置，多数情况下，我们无法得知这个MOSFET的特性，所以采用它们给的推荐值。