之所以是极限是物质的原子结构限制的。

　　目前能够制造高端芯片的只有台积电和三星两家，能够量产的可以达到4纳米，已经流片但为3纳米工艺。而未来的3纳米及以后的工艺方向是GAA架构，放弃现在的FinFET晶体管技术。GAA工艺本身虽然解决了栅极宽度太小导致漏电现象，但1纳米本身也就4硅原子的宽度，所以物质的物理距离本身就限制了芯片制程的极限尺寸。

　　理论上物理极限是1纳米，但现在台积电已经开始研究2纳米了。