门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层(氧化物)和基体(身体)之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接收器离子。

　　在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口，在什么称逆温层，或者渠道。 电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。 实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。

　　扩展资料

　　欠压锁定

　　许多电子设备中都有UVLO的功能，例如在镇流器中就有UVLO电路，若电压过低时直接切断电源。UVLO就是低电压锁定； 低压关断. 欠压关断模式是当供电电压低于IC的开启门限电压时的一种保护模式。欠压关断模式可保证IC在供电电压不足时不致于被损坏。

　　一个低电压锁定（UVLO）电路可确保IC在电池电压未达到安全操作电压前不会激活，UVLO的功能会展示滞后现象，以确保在电源供应上的噪音不会不慎导致系统故障。