晶体管命名规则？

　　晶体管的命名方法

　　最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或T（新）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。

　　按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。

　　

　　第二位代表材料和极性。

　　A代表PNP型锗材料；

　　B代表NPN型锗材料；

　　C代表PNP型硅材料；

　　D为NPN型硅材料。

　　第三位表示用途，

　　X代表低频小功率管；

　　D代表低频大功率管；

　　G代表高频小功率管；

　　A代表高频大功率管。

　　最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。

　　mos管的命名规律？

　　日本命名法

　　

　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管(MOSFET)、K-N沟道场效应管(MOSFET)、M-双向可控硅。

　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

　　第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

　　如2SK134为N沟道MOSFET，2SJ49为P沟道MOSFET。

　　中国命名法

　　中国命名场效应管(MOSFET)通常有下列两种命名方法。

　　第一种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管(MOSFET)，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。

　　第二种命名方法与双极型三极管相同，第一位用数字代表电极数；第二位用字母代表极性（其中D是N沟道，C是P沟道）；第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管(MOSFET)，O代表绝缘栅场效应管(MOSFET)）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三极管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。