irf1405型场效应MOS管的主要参数如下:

　　一是PD最大耗散功率：330W，

　　二是ID最大漏源电流：169A，

　　三是V(BR)，DSS漏源击穿电压:55V，

　　四是RDS(ON)Ω内阻：0.0053Ω，五是VRDS(ON)ld通态电流：101A，

　　六是VRDS(ON)栅极电压：10V，

　　七是VGS(th)V开启电压：2~4V，

　　八是VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA。

　　功率：330W

　　电流：169A

　　耐压：55V