首先，DDR4的针脚数增加到了284个，DDR3是240个，由于内存整体长度不变，所以相邻针脚之间的距离从1.00毫米减到了0.85毫，而每个针脚本身的宽度为0.60±0.03毫米。

　　另外一个明显差别是DDR4内存底部金手指不再是直的，而是呈弯曲状。从左侧数，第35针开始边长，到第47针达到最长，然后从第105针开始缩短，到第117针回到最短。

　　最后是接口位置也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央，这样做的目的就是防止用户差错内存，历代产品升级均如此。

　　容量和电压差异——

　　DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

　　而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。

　　性能差异——

　　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。