IGBT，全称为Insulated Gate Bipolar Transistor，是一种高性能功率半导体器件。它是一种混合型晶体管，具有MOSFET控制脚的电场控制特性和BJT放大的特性，可以承受高电压和大电流，所以被广泛应用于各种高功率应用，例如大功率电子设备、高速列车、变电站等等。

　　IGBT的主要优点是其低开启电阻和高开关速度，可以节约能源并提高设备的效率。同时，IGBT还具有很好的耐电压和耐温性能，可以在高温环境下工作。总而言之，IGBT是一种性能卓越的功率半导体器件，其应用在许多领域，如工业、交通、军事和医疗等领域中，已成为不可或缺的组成部分。