ic时代指1960年代

　　按照时间划分，芯片制程可分为前IC时代(1950年前)、IC时代(1960年代)、LSI时代(1970年代)、VLSI时代(1980年代)、亚微米VLSI时代(1990年代)、Giga bit时代(2000年后)，下面具体介绍每个阶段的技术特征和发展。

　　1前IC时代

　　1947年贝尔实验室发明了晶体管，是微电子技术历史上的第一个里程碑。结型晶体管和场效应晶体管的诞生催生了集成电路的发明和发展，当时半导体基板材料为锗，加工锗的各种技术，都以量产为立足点。制程技术包括使用炉管的热处理、去除污染、蚀刻、电镀等等。在1950年代末急速进展，材料从Ge转为Si，相应制程技术也转变为以硅为主，进入IC时代。

　　2IC时代

　　IC时代重要的发展之一就是引进光微影技术(photolithography)。使用光罩的图案转写技术引进IC的制造工程。从制程技术面而言，本时代诞生了微影制程、平面技术的开发、表面安定化技术。此外，1963年F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，目前多数的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。

　　3LSI时代

　　1971年，Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志进入大规模集成电路时代（LSI），继而推出采用MOS工艺的全球第一个微型处理器4004。紧随其后的16kb和64kb的动态随机处理器相继诞生，不足0.5平方厘米的硅片集成了14万个晶体管，半导体制程技术进入飞速发展阶段。这一时期所开发的制程技术，最为注目的就是LOCOS(Local Oxidation of Silicon)构造。采用选择性氧化法的隔离构造，也是目前广泛应用的技术。

　　4VLSI时代

　　1980年代，随着DRAM的量产及高密度化的进展，DRAM成为半导体制程技术的驱动力。本时期的最小图案尺寸为1μm，随着步进机的必要性，制程同时往干式化进展。特别是过去使用的蚀刻技术，从湿式制程转为使用电浆的干式制程，干式法可提升图案转写的精确度，提高再现性。组件技术方面，从双极性转移至CMOS，数字用的IC以及LSI几乎都是用CMOS构造制作而成。1988年16M DRAM问世，1平方厘米的硅片上集成3500万个晶体管，进入超大规模集成电路阶段。