射频芯片需要多少纳米？

　　射频芯片最小8纳米，主流14纳米。

　　三星官网今日发布消息称，该公司已推出了基于8纳米工艺的最新射频技术。三星表示，这一先进的工艺技术有望提供专门用于支持多通道和多天线芯片设计的5G通信“单芯片解决方案”。三星的8纳米射频工艺技术是对目前已经广泛使用的包括28纳米和14纳米在内的射频相关解决方案的最新补充。由于采用RFeFET架构创新，三星的8纳米射频工艺技术将功率效率提高了35%，而射频芯片面积减少了35%。

　　射频芯片28纳米就可以，不需要太高的制程。

　　5g射频芯片多少纳米？

　　5G射频芯片纳米是主流的90nm或65nm工艺。高通第三代5G基带芯片X60是全球首个5纳米制程基带芯片,下载速度可达7.5Gbps,上行速度可达3Gbps,并支持Voice-Over-NR 5G语音技术。

　　这种芯片支持全部的5G关键频段,射频芯片的晶体管数和模拟/射频的面积可以实现减小。

　　相对于之前的14纳米射频相比，由于采用RFeFET架构创新，三星的8纳米射频工艺技术将效率提升了35%，在面积上射频芯片减少了35%。