mos管速度饱和电流公式？nmos饱和电流公式？
mos管速度饱和电流公式？
公式：PD=TJ-TC/RθJC，当功率MOSFET流过最大的连续漏极电流时，产生最大功耗为PD因此，二式联立，可以得到最大的连续漏极电流ID的计算公式：ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）其中，RDS（ON）为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。
上述的电流是基于最大结温的计算值；事实上，它还要受到封装的限制。在数据表中，许多公司标示的是基于封装限制最大的连续漏极电流、而有些公司标示的是基于最大结温的电流，那么它通常会数据表注释中进行说明，并示出基于封装限制的最大的连续漏极电流。
直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然更快）
先求出传递函数，可以用节点电压法：
设C1上端的节点电压为U1,运放同相端电压为U+,反相端电压为U-,则：
u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0 (1)
u+=u1*R3/(R3+1/SC2) =u1*jwT32/(jwT32+1) （2）
式中，w=2*3.14*f 是角频率
T32=R3*C2 是同相端时间常数
u-=u0*R/(Rf+R) （3）
设运放放大倍数是无穷大，则有
u+=u-
即（2）=（3）
u1*jwT32/(jwT32+1)=u0*R/(Rf+R)
u1=u0*K(jwT32+1) /jwT32 (4)
式中，令：K=R/(R+Rf） 为负反馈系数
(4)代入(1)
u0*K(jwT32+1) /(jwT32 )*(1/R1+jwC1+jwC2(1+T32)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0
u0*[K(jwT32+1) /(jwT32 )*(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1]=uiR3
u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32
整理一下写为：
u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32
2. 由传递函数转折频率 fL,fH，得出系数T,q
根据 u0*[(*jw)^2+ B*jw+C]=ui*R3jwT32
令特征多项式 (jw)^2+ B*jw+C)=0
方程的两个根应为：w1= 2*3.14*20MHZ ，
w2=2*3.14* 30MHZ，
对应的转折频率就为20Mhz和30Mhz，即
(W-2*3.14*30M)(W-2*3.14*20M)=0
W^2-2*3.14*50M*W+4*3.14^2*600*M^2=0
得
B= -2*3.14*50M
C=4*3.14^2*600*M^2
待回方程 u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32
即 u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32
对应系数列出方程，便可的 电阻电容参数。
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，
晶体管迁移率=晶体管实际迁移数量÷晶体管计划迁移数量
nmos饱和电流公式？
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，
晶体管迁移率=晶体管实际迁移数量÷晶体管计划迁移数量
