H桥的MOS可以并联吗？

　　H桥是一种常见的开关电路，由四个MOSFET管组成，其中两个MOSFET管控制电流的流向，另外两个MOSFET管则作为输出端的开关。在H桥的设计中，通常采用的是串联的方式将MOSFET管连接在一起，而不是并联的方式。

　　这是因为，当MOSFET管并联时，它们之间的电流会相互影响，从而导致电路性能的不稳定。此外，当MOSFET管并联时，它们的导通电阻也会变得非常小，这会导致电路的电流增加，从而使电路发热严重，甚至可能损坏电路元件。

　　因此，在H桥的设计中，通常采用串联的方式将MOSFET管连接在一起，这可以保证电路的稳定性和可靠性。当然，在某些特殊情况下，也可以采用并联的方式来设计H桥电路，但需要特别注意电路的稳定性和可靠性。

　　H桥MOS可以并联吗？

　　H桥MOSFET可以并联，但是需要注意的是，当多个功率MOSFET并联以增加系统整体电流能力容量时，通常假设电流在并联器件之间均等分配或均等共享。然而，在并联MOSFET时，需要考虑并联器件之间的电流分配。

　　PCB布局的若干特性和特定的MOSFET参数会影响这种分配，并在参数不匹配或布局不对称时导致均流不平衡。