静电放电esd可能会造成哪些危害？

　　ESD静电放电，最大也是最常见的危害是在电子行业，以及基于电子器件的所有高精技术产业。

　　静电可以在不经意间将昂贵的电子器件击穿，造成电子产品功能紊乱甚至部件损坏，尤其现在半导体集成部件规模越来越大，集成电压越来越低，对静电电压敏感度也越来越大，很小的静电电压就可以影响元件的运行，甚至击穿元件，造成大量损失。

　　很多厂里常常因为人体带静电，在工人操作时手接触元件造成静电击穿，肉眼看不出来，等电路检测时就过不了，造成次品。

　　所以在电子行业做好ESD放护工作很有必要，人体防护要做好，静电消除器也需要安装，每个工位上方都需要安装，常见的有离子风扇、离子风机，也可以使用长距离的静电消除器。

　　北京艾尔利达就有这种静电消除器，是国外FRASER做的，还挺不错的，有需要的话可以问问。

　　esd对电子元器件的破坏有哪些？

　　ESD（静电放电）对电子元器件的破坏主要包括以下几个方面：

　　瞬间电压过高：静电放电产生的瞬间电压可能高达几千伏，远超出电子元器件的承受范围。这种电压可能导致元器件的绝缘层击穿，甚至引起元器件内部结构的损坏。

　　瞬间电流过大：静电放电产生的瞬间电流可能达到几十安培，这比电子元器件的额定电流大得多。过大的电流可能导致元器件的导线或连接器焊点融化，线路板软化、变形或烧坏。

　　电压偏移：静电放电可能导致元器件内部电势的瞬间偏移，这可能导致元器件的数字信号或模拟信号失真，或者导致元器件的输出电压偏移。

　　磁场干扰：静电放电会产生强烈的磁场，这可能对元器件的内部电路和磁性材料产生干扰，导致元器件失效或寿命缩短。

　　在受静电损伤的电子元器件中，突发性失效约占失效总数的10%。很强的静电场会导致MOS场效应器件的栅氧化层被击穿，使电子元器件失效。即便是致密无针孔的高质量氧化层，也会在100 V的静电电压下被击穿。对于有保护措施的电路，虽然击穿电压可能高于100 V，但危险静电源的电压可能是几千伏，甚至上万伏。因此，高压静电场的击穿效应仍然是MOS电路的一大危害。另外，高压静电场也可能使多层布线电路间介质击穿或金属化导线间介质击穿，造成电路失效。

　　ESD（静电放电）是一种静电现象，当电荷在电子元器件和人体等物体之间迅速放电时，会产生高能电磁辐射，并产生热量和机械力量，导致电子元器件的破坏。

　　静电放电的能量可达到数千伏，并且其时间极短，能够瞬间将电子器件的元件、连接线和晶体管等电子结构破坏。

　　静电放电对电子元器件的破坏具有随机性和不可预测性。因此，为防止ESD对电子元器件的破坏，需要采取相应的静电保护措施。