P沟道场效应管用法？

　　 P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，叫源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有满足的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅外表呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

　　 改变栅压能够改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假如N型硅衬底外表不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

　　P沟道场效应的管用法如下：

　　1.电源通断控制

　　P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。

　　2.高电平控制电源导通，用一个NPN三极管

　　3.低电平控制电源导通，用一组PNP+NPN三极管

　　P沟道场效应管需要在栅源极加反向偏置电压，漏源极加正向偏置电压。

　　场效应管p沟道电源接哪个脚？

　　场效应管（FET）是一种用于控制电流的半导体器件。P沟道型场效应管（P-Channel FET）是一种类型的FET，其通道是由P型材料构成的。对于P沟道型FET，其三个脚分别标记为源极、栅极和漏极。其中，源极是与外部电源相连的极性脚，通常需要接到负电源（地）端。栅极是用于控制通道中的电流的极性脚，其电压可以通过外部电路进行施加调节。漏极是电流流入或流出的极性脚。因此，对于P沟道型FET，电源应该连接在源极上，以保证电流正常流动。当栅极上施加适当的电压，FET将会引起通道中的电荷重新分布，进而控制电流的流动情况。