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MOSFET和IGBT是什么意思?mosfet和igbt的区别?

作者:五金加工
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  MOSFET和IGBT是什么意思?

  MOSFET和IGBT都是电力电子器件,用于控制电路中的电流和电压。

  MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种用于控制电路中电流的半导体器件,它由金属栅极、绝缘层和半导体材料构成。在MOSFET中,通过改变栅极电压,可以控制器件中的电流流通状态。MOSFET的优点包括开关速度快、功耗低、工作温度范围广等,被广泛应用于电源管理、放大器、驱动器等领域。

  IGBT(绝缘栅双极型晶体管)也是一种用于控制电路中电流的半导体器件,它是MOSFET和双极型晶体管的混合体。IGBT结构中包含一个PN结和一个金属栅极,具有双极型晶体管的驱动能力和MOSFET的控制性能,使得它可以在高电压和高电流下进行快速的开关操作。IGBT的优点包括具有低导通电阻、大的开关速度和容易驱动等,因此被广泛应用于电机驱动、电力电子、逆变器等领域。

  mosfet和igbt的区别?

  

MOSFET和IGBT是什么意思?mosfet和igbt的区别?

  从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题;

  从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右;

  

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