Q15N06是什么管，在电路中的作用是什么？

　　15N06是现在较常用的一种N沟道MOS场效应管，图片中显示的管子封装为TO-252封装。

　　▲ TO-252封装的N沟道场效应管15N06。

　　这种贴片封装的功率MOS场效应管在现在的一些开关电源、锂电池充电器及小功率逆变器中使用很广。其在电子电路中一般作为开关管驱动线圈用于升降压，或作为电子开关用于控制负载的通断。

　　顺便说一下，这种命名的场效应管，从型号便可以看出其主要电参数 ，使用很方便。型号“15N06”中的“15”，表示该管的漏极电流ID为15A，字母“N”表示该管为N沟道场效应管（若为“P”，则表示该管为P沟道场效应管），“06”表示该管的耐压值为60V。这种方法命名的场效应管，常用的还有以下一些型号。

　　▲上图为TO-92封装的N沟道场效应管1N60。该管耐压值可达600V ，ID为1A（实际中，这种封装的管子不能在1A电流下工作，否则发热严重）。该管可以代TO-92封装的BT169、MCR100-6等单向可控硅，并且驱动电流（≤1μA）比这些可控硅小得多。

　　▲ 上图为TO-251封装的1N60。其参数与TO-92封装的1N60一样，但这种封装的带有散热片，其散热效果比TO-92封装的要好。

　　▲ 上图为TO-220F封装的N沟道场效应管2N60。

　　▲ TO-220F封装的N沟道场效应管7N60。该管可以代替常用的IRF840场效应管。

　　▲ 上图为TO-252封装的P沟道场效应管30P06。该管的ID可达30A（实际中，这种封装的管子散热不是很好，是不能在30A电流下工作的），耐压值为60V。

　　▲ 上图为TO-220封装的P沟道场效应管30P06。该管与TO-252封装的30P06的参数一样，但散热效果比TO-252封装的管子好得多。

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