硅基芯片和锗基芯片的区别？

　　硅基芯片与锗基芯片的根本区别是制作材料不一样，导致在电路中压降也不一样，如硅二极管0.6~0.7V，锗二极管0.2~0.3V。

　　硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。

　　锗是一种灰白色的类金属，有金属光泽，硬度较高且脆，无延展性，具有半导体性质，其密度为5.323 g·cm?3，熔点为937.2 ℃，沸点为2830 ℃。

　　1、硅基芯片是由硅材料制成的半导体，锗基芯片是由锗材料制成的半导体。

　　2、硅基芯片的供电电压范围要求较低，锗基芯片的供电电压范围要求较高。

　　3、硅基芯片的制作技术相对成熟，但其速度和功耗要求较高，锗基芯片的制作技术相对落后，但其速度和功耗要求较低。

　　4、硅基芯片的密度更高，可实现更高的集成度，而锗基芯片的密度较低，只能实现较低的集成度。

　　负极材料的成品名字叫什么？

　　答：负极材料大体分为以下几种：

　　第一种是碳负极材料：

　　目前已经实际用于锂离子电池的负极材料基本上都是碳素材料，成品如：人工石墨、天然石墨、中间相碳微球、石油焦、碳纤维、热解树脂碳等。

　　第二种是锡基负极材料：

　　锡基负极材料可分为锡的氧化物和锡基复合氧化物两种。氧化物是指各种价态金属锡的氧化物。目前没有商业化产品。

　　第三种是含锂过渡金属氮化物负极材料，目前也没有商业化产品。

　　第四种是合金类负极材料：

　　包括锡基合金、硅基合金、锗基合金、铝基合金、锑基合金、镁基合金和其它合金，目前也没有商业化产品。

　　第五种是纳米级负极材料：纳米碳管、纳米合金材料。

　　第六种纳米材料是纳米氧化物材料。