IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件，是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的，性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。

　　IGBT的工作原理：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。