据报道称:上海微电子将在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机，并且次光刻机在经过多次曝光之后，可以制造出11纳米制程的芯片。目前来看，这个消息应该是真的。也就是说，国内在2021年，就有自己制造的生产28纳米制程芯片的光刻机了。虽说，还不能与阿斯麦公司的极紫外EUV光刻机相比，但是足以推进我国工业芯片和军用芯片的性能向前迈一大步了。

　　按光源来分的话，光刻机已经发展了五代。第一代是采用波长为436纳米的g-line光源的光刻机，其制程工艺节点为800纳米-250纳米；第二代采用波长为365纳米的i-line光源的光刻机，其制程工艺节点也是800纳米-250纳米；第三代采用波长为248纳米的KRF光源的光刻机，其制程工艺节点为180纳米-130纳米；第四代也就是波长为139纳米的Arf光源的光刻机，其制程工艺节点为130纳米-65纳米，45纳米-22纳米；第五代也就是波长为13.5纳米的EUV光源的极紫外光刻机，其制程节点为22纳米-7纳米。

　　

　　而上海微电子将在2021年交付的也就是第四代光刻机，制程工艺节点为28纳米。其实上海微电子与2007年制造了制程工艺节点为90纳米的光刻机，迄今过去了13年。经过14年的发展，再次拿出第四代光刻机也是很正常的。虽说，我国现在无法制造出二氧化碳EUV光源，但是在固体深紫外光源的研发上是处于国际领先地位的，最明显的例子就是KBBF晶体。

　　另外光刻机比较重要的镜头，国内也是可以自制的。长春光机所于2022年研发出了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统。清华大学也在2022年研发出掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到2.2nm，4.7nm。所以说，光刻机最重要掩膜台和工作台，镜头组，光源都可以由国内单位自己制造出来，那么上海微电子研制出制程工艺为28纳米的光刻机也没有什么可怀疑的。只是在明年交付之后，芯片的良品率并不会一下子就上去，还要过段时间才可以提升上去。

　　另外，上海微电子即将交付的光刻机，在经过多次曝光之后，制程工艺还可以提高到11纳米。这样一来，对那些芯片并不急需，但要求制程工艺的公司来说，也是一个好消息。毕竟国内有了这种光刻机，就不必在受到国外的制裁了。对于EUV光源，我国还需要加大研发力度，争取早日取得突破。只要光源突破之后，那剩下的就没有什么太大的难题了

　　由此可知，上海微电子交付28纳米制程工艺的光刻机有较大意义。

　　让你失望了，上海微电孑没有研制出11纳米的光刻机。但是，再告诉你一个好消息，明年，上海微电子将研制出28纳米的光刻机，经过多次光刻后，能精确到11纳米。再告诉你个更大的好消息，我们国家的实验室里巳经研制成功了9纳米光刻机，虽然，工厂化量产还得多年以后。相信.，上海微电子所一定会不辱使命，在光刻机领域大展伸手，舞出明天中国光刻机的一片希望之所。

　　这个消息不好定论，提供多少纳米工艺一般指光波长，11nM特意避开常用波长怕别人记不住？我所知道的好用的激光器一般规格是一样的基波长，然后都携带一串幅度减小的多个高次谐波，1/3，1/5，1/7波长…有限一连串的波，用滤波器把波长极短的那个给滤出来做为最小的光斑使用，所以少有8，9，10nM的波长，所以11nM有没有难说，请大家判断，或请发消息者说明是哪来的。

　　根据目前的传言，上海微电子年底将下线28nm节点浸没式光刻机，而这台光刻机按照现有的套刻精度可以用于11nm制程芯片的生产，如果使用的套刻精度更高则可以用来生产7nm工制程芯片，当然在具体生产时需要进行多重曝光。

　　目前上海微电子官方未正式对外公布，只是业内小道消息，那么这个传言可信度如何呢？

　　个人认为这则消息还是比较可靠的，为什么说可靠呢？

　　因为我们可以从整个光刻机产业链上的一些动向能做出判断，将各个渠道的消息相互佐证后能得出一个较为明确的结果。大家一起来跟我看看，有哪些信息可以证实28nm光刻机即将下线的传言。

　　?液系统生产厂商动向：?液系统是光刻机的核心子系统之一，目前国产光刻机的最新?液系统由浙大团队研发，浙江启尔机电产业化生产。在2022年这个厂商在官网曾经公布了年底首台国产光刻机交付的信息，同时浙江启尔机电的青山湖基地（效果图见下方）正在抓紧建设中，这个基地就是用来生产?液系统。

　　光源发射器厂商动态：2022年4月有媒体报道科溢虹源入驻徐州开发区，同时还提到了年底将实现和光刻机的集成。而这家厂商是中科院下属企业，也是准分子激光光源发射器生产厂商，也就是为光刻机提供核心子系统之一光源的产业化厂商。

　　从以上5个层面的消息综合来看，国家层面有大战略规划，具体的系统制造商上海微电子已经提前公布最新光刻机外观专利，同时光刻机两大核心子系统生产厂商已经在大规模建设生产基地，并且也都提到了具体的交付时间。

　　由此，我们可以判断28nm节点光刻机年底下线这件事消息可信度极高。

　　当然这台机器年底不会量产只是研制成功下线，真正大规模量产肯定还得要个1-2年时间。一旦这台光刻机量产，基本意味着我们最少能实现11nm制程芯片生产，如果发挥到极致的话通过多重曝光可以实现7nm制程工艺。

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　　早前确实有相关的报道说上海微电子装备有限公司预计2021年要推出28nm光刻机，但是这一消息官方并没有进行公布，也就是它的可信度并不是很高。目前上海微电子做的光刻机还是以90nm为主，28nm技术应该还是实现不了量产。

　　最近老美对于华为打压升级，让芯片、光刻机等东西变得非常热门，越来越条友开始关注我们国产光刻机究竟处于什么水平，能不能摆脱对美方技术依赖。而我们国产光刻机处于比较领先的还是上海微电子，关于这个水平一直受到人们争议。

　　

　　一些媒体报道说国产光刻机目前能够达到5nm水平了，而一些媒体又说国产光刻机还是处于一个90nm阶段，而在2022年时也曾经报道下面这条消息。

　　中科院的“超分辨光刻装备研制”通过相关验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。

　　上面还是处于实验室阶段，也就是离真正商用量产还是需要不少时间来检验。而关于这个5nm和90nm水平，不少朋友应该是混淆了光刻机和蚀刻机这两个不同机器。中微半导体的蚀刻机确实达到了5nm水平，而国产光刻机仍然处于90nm水平。

　　现阶段来说上海微电子做的还是突破达到28nm水平，因此这个11nm消息可信度一点也不高。这里一部分条友会有疑问，中芯国际前段时间已经不是替华为代工14nm工艺芯片了（荣耀Play4T搭载这款芯片）

　　其实这里也要明白，中芯国际用的也是荷兰ASML光刻机。目前中芯国际得到了大量的资金投资，现阶段它主要目标还是突破7nm技术，也就是未来可以代工7nm工艺芯片。

　　小晴观点

　　

　　对于光刻机这个东西是急不得，首先这个基础的28nm也没有突破，就想着说直接达到这个11nm，确实有点像做梦一样。

　　想要在光刻机有所突破，一方面要加大相关的研发投入，研发如果跟不上一切都是纸上谈兵。再次就是重视相关人才培养，注重相关技术积累，同时也需要两弹一星这样的精神，才能够最快速度突破。