由MOS型场效应管为基础构成

　　CMOS电路的特点是：

　　①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；

　　②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;

　　③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右;

　　④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口；

　　⑤速度快，门延迟时间达纳秒级；

　　⑥在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；

　　⑦与NMOS电路相比，集成度稍低；

　　⑧有“自锁效应”，影响电路正常工作。

　　cmos集成电路由双极型门电路和互补金属，氧化物，半宇体门电路构成的集成电路。