蚀刻r 蚀刻制程是将电路布局移转到芯片上之关键步骤，包括蚀刻及蚀刻后清洗两部份，本所现阶段以多层导线所需之蚀刻及清洗技术为重点。蚀刻技术开发已完成符合0.15微米世代制程规格之0.2微米接触窗蚀刻技术以及符合0.18微米世代制程规格（线宽/间距=0.22微米/0.23微米）之铝导线蚀刻技术；同时完成光阻硬化技术，可提高光阻抗蚀刻性10%~20%；目前之技术重点在于双嵌入结构蚀刻技术及低介电常数材料蚀刻技术，以搭配铜导线制程达成低电阻、低电容之目标。蚀刻后清洗技术开发已建立基本之氧化层及金属层蚀刻后清洗能力，目前之技术重点在双嵌入结构蚀刻后清洗技术，铜导线兼容之光阻去除技术、低介电常数材料兼容之光阻去除技术、铜污染去除技术等。r 经过黄光定义出我们所需要的电路图，把不要的部份去除掉，此去除的 步骤就称之为蚀刻，因为它好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期间又利用酸液来腐蚀的，所以叫做「蚀刻区」。r 湿式蚀刻: 酸碱溶液(化学方式) 选择性高等向蚀刻r 1. Through-put 高r 2. 设备价格低r 3. 溶液更新频率<=>成本r 4. 溶液本身的污染r 优点r 1.(through-put)高r 2.设备价格低r 3.溶液更新频率<->成本r 4.溶液本身的污染r 干式蚀刻: 电浆蚀刻(Plasma Etching),活性离子蚀刻(R I E)(物理方式) r 选择性低非等向蚀刻撞击损伤(damages)à负面影响:晶格排列因撞击而偏移r 撞击 -> 能量传递 -> 活化能降低 -> 反应加速r 蚀刻考虑因素:r 1. 选择性(Selectivity) 3. 蚀刻速率(Etching Rate)r 2. 等向性(Isotropy) 4. 芯片损伤(Damags)r